интерактивная карта достопримечательностей Калуги

Проведены испытания возможной замены полупроводникам из кремния

Ученые рассказали новые подробности касательно электрических свойств атомарно тонких кристаллов дисульфида молибдена, нового полупроводникового соединения, что в будущем может стать заменой кремнию.

Причины столь бурного внимания к дисульфиду молибдена отчасти можно отыскать в аналогичных экспериментах с графеном – сетки из атомов углерода, которые показали высокую прочность и электрическую проходимость. Но проблема графена заключается в том, что он не имеет возможность быстро переключаться между двумя состояниями, что является очень важным элементом создания транзисторов.

интерактивная карта достопримечательностей Калуги

У нового материала достаточная ширина запрещенной зоны для того, чтобы быть полупроводником, и он может приобретать форуму самых тонких кристаллов. Кроме внутренних степеней свободы, которые выражаются предположительными изменениями электрического заряда, который применяется электроникой и спина (это относится к спинтронике), дисульфид молибдена имеет еще одну степень свободы, благодаря которой в нем имеют возможность чередоваться минимумы и максимумы валентной зоны (еще их называют «долины»), что дает возможности развивать валлейтронику (от англ. слова «valley» — долины). Она позволяет записывать информацию в виде «единиц» и «нулей», физически представленными минимума и максимумами валентной зоны. В теории, подобные устройства могут работать без тепловых потерь.

Специалисты Корнелльского университета продемонстрировали возникновение долинного эффекта Холла в созданном ими транзисторе. По сути их работа подтверждает концепцию использования долинной степени свободы, которая может лечь в основу будущих носителей данных.


Добавить комментарий